پارسای داخل کشور کارشناسی ارشد 1398
پدیدآور: حسین شاه محمدی
استاد راهنما: امین جاجرمی 
استاد مشاور: احسان جعفری
موسسه آموزش عالی اشراق، دانشکده برق
چکیده

تقویت کننده‌های کم نویز، یکی از اجزای اساسی گیرنده در مخابرات بی‌سیم محسوب می‌شوند و در واقع اولین بلوک در مسیر دریافت سیگنال هستند و عملکرد آنها کارایی سیستم را از نظر نویز مشخص می‌کند. هدف اصلی این پایان نامه، تحلیل و طراحی تقویت کننده کم نویز در باند فراپهن توسط تکنولوژی CMOS با کمترین نویز و توان مصرفی ممکن است که برای نائل آمدن به این هدف در ابتدا عملکرد یک مدار کاهش نویز بررسی می‌‌گردد. شبیه سازی ها نشان می‌دهد که حداکثر بهره مدار برابر 14.9 dB می باشد. S11 در فرکانس 400MHz کمترین مقدار خود را دارا می‌باشد. S_22 در فرکانس 300MHz کمترین مقدار خود را که برابر -10dB است را دارا می باشد. عدد نویز شبیه‌سازی شده در کل باند زیر 2.8dB است و حداقل مقدار آن برابر 2.4dB می باشد. با توجه به شبیه سازی های انجام شده مقدار IP3 بدست آمده برابر 15 dB است که خطسانی بسیار خوب مدار را نشان می دهد و این ناشی از تکنیک به کار گرفته شده برای کنسل کردن اعوجاج است. همچنین نقطه P1dB ورودی مدار تقویت کننده دو طبقه، برابر -25dBm در فرکانس 3 گیگاهرتز و تغییرات اغتشاشات هارمونیکی زیر (THD) % 1/0 را گزارش می‌دهد. در ساختار پیشنهادی بعلت کاهش اعوجاجات در تقویت کننده کم نویز و عدد نویز قابل قبول برای کاربردهای رادیویی و مخابراتی بسیار ضروری می‌باشد.